昆山丹瑞传感器

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  • 概述:利用MEMS及SOI技术自主研制的高温压阻力敏芯片.产品采用齐平封装,动态频响高,内置温度转接及精密高温补偿电路使得产品在-40~200℃高温环境下能够不失真测量一些变化频率高,压力波形上升快陡的连续爆炸高温冲击波动态试验。如采用水冷式可将工作温度提高至-10~450℃温区。用途:对化爆试验,军事工程,石油勘采与试井,材料,力学,土…
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